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三安光电切入宽禁带材料赛道,推动AI芯片先进封装技术升级|三安光电|光学|封装技术|碳化硅|金刚石_手机网易网 网易 网易号 0

三安光电切入宽禁带材料赛道,推动AI芯片先进封装技术升级

全球TMT
2026-05-14 14:27 ·天津 ·全球官方网易号
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(全球TMT2026年5月14日讯)三安光电精准切入碳化硅、金刚石等宽禁带材料赛道,聚焦AR光学、中介层、热沉三大核心方向,在先进封装领域构建起独特竞争优势,多项技术成果已进入送样或批量交付阶段,为全球AI芯片效能提升提供重要样本。

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在AR光学衬底方面,三安光电具备Micro LED和碳化硅光学材料综合服务能力,目前8英寸光学碳化硅衬底已通过客户验证,12英寸产品已实现小批量交付。在碳化硅中介层方面,三安光电12英寸碳化硅衬底正配合头部客户开展下一代AI芯片封装验证。在热沉领域,三安光电采用金刚石、碳化硅双路线并行,覆盖多元散热需求。

三安光电已构建湖南、重庆两大核心生产基地。湖南基地6英寸碳化硅芯片月产能达16000片,8英寸衬底月产能1000片、外延月产能2000片,8英寸芯片产线已通线量产;重庆基地8英寸衬底月产能3000片,产能逐步释放,补强大尺寸碳化硅材料供给。湖南三安的碳化硅二极管已形成覆盖650V至2000V的全电压产品梯度,累计出货达4亿颗,投产三年内累计销售收入近20亿元。

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